“中国芯”迎来四大突破,美国制裁或将成为笑话

芯片被誉为现代工业的“命脉”与“核心”

各国均视其为战略要地


然而,由于美国在晶体管和集成电路领域的先驱地位,其手握的芯片技术及基础专利遍布全球半导体产业链,导致很多企业都被其卡着“脖子”。

比如芯片代工巨头台积电、三星和光刻机巨头ASML等或多或少都使用了美国技术和设备,因此当美国强行修改芯片出口规则之后,强如它们也无法继续向华为等中企提供芯片以及代工芯片。

国内企业一度陷入了“缺芯”的尴尬局面。

但美国的步步紧逼换来的是我们的频频前进,持续不断的巨大投入与不屈不挠的创新精神,中国芯”迎来了四大突破,实现了逆境中的“破局”!

一、微波光子芯片取得重大突破

首先就是香港城市大学电机工程学系教授王骋与香港中文大学研究人员,联合研发出了一款微波光子芯片。

据悉该芯片采用了铌酸锂微波光子学技术,成功实现了快速的信息处理和传输,其运算速度比传统硅芯片要快1000倍,关键是能耗和成本都得到了降低,可以说不仅可应用于5G/6G无线通讯系统,还可以为雷达系统和人工智能等模型提供强大的算力,对光芯片来说具备非常大的推动作用。

二、上海理工成功研发“超级光盘”

其次就是在存储芯片领域,上海理工大学和上海光机所科研团队联合研发出了一种“超级光盘”。

其拥有超大容量和高分辨率,目前已经在国际学术期刊《自然》杂志上公之于众!

根据科研人员介绍,该光盘采用了双光束调控聚集诱导发光超分辨率存储技术,成功突破了光学衍射的限制,让光盘的存储容量达到了1.6PB,并且还实现了54nm点尺寸和70nm道间距的信息读写,可以说无论是容量还是读写速度都打破了世界纪录,成为了全球首个PB量级的超大容量光盘存储!

三、北京大学研制出全球速度最快的二维晶体管

北京大学电子学院彭练矛和邱晨光带领的团队成功研发出了:

10nm超短沟道弹道二维硒化铟晶体管

据悉这是目前全球速度最快、能耗最低的二维晶体管!

其实此前在该领域,英特尔所研制的硅基Fin晶体管硅基一直都占据领先地位,但北京大学研究团队这次利用创新技术成功将二维晶体管的电压降到了0.5v,就连功耗都降低了30%,打破了英特尔硅基的极限!更打破了美国的科技神话!

四、第三代玻璃穿孔技术

我国芯片团队成功研制出第三代“玻璃穿孔技术”

仅指甲盖大小的新型玻璃晶圆,就可打上100万个微孔,并用金属填充,串联成复杂的集成电路。而这背后,是结合了精准激光诱导和湿法工艺。

其中,激光技术提供了非接触式的加工方法,有助于避免物理损伤和应力集中。而湿法工艺,则可以在不增加热应力的情况下完成微孔的形成和后处理。

经过如此一顿操作后,最终能使孔径小于10微米,差不多是头发丝的1/6到1/9之间。

中国团队能让玻璃通孔(TGV)性能达到硅通孔(TSV)的水平。

这放全球来说,都是遥遥领先的。也就是说,中国可以使用玻璃晶圆代替传统硅晶圆,从而突破欧美芯片技术壁垒和限制。

电子科技大学教授张继华表示:“中国芯片或许会迎来弯道超车的机会”。

而看到我们在芯片领域频频取得突破。

不少外媒都纷纷表示:

越封锁反而越强大了,拜登制裁了个“寂寞”!